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产品系列
MMR Hall Effect Measurement System
controlled continuously variable temperature
MMR可控连续变温霍尔效应测试系统
1. 功能描述: 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数
2. 测试范围: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。
3. 磁场强度:0.5T 电磁场,磁场强度可以定制选择
4. 温度区域: 70K ~730K; 80K ~580K; 80K ~730K; 300K ~730K
5. 电阻率范围:10-6~1013 Ohm*cm
6. 电阻范围:10 m Ohms~ 10G Ohms
7. 载流子浓度:102~1022cm-3
8. 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec
仪器优点:
1. 采用van der Pauw法测试;
2. **可测25mmX25mm样品,提供两种样品装载方式:弹簧探针、引线治具,以及两个杜瓦瓶:全封闭和带玻璃窗口各一 个;
3. 配备电脑和相应的控制软件,测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品,电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出;
4. 模块化设计,可升级到温度范围更广、磁场更大的系统,也可升级成塞贝克测量系统;
5. 测试过程中,由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优;
6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试,**变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性,其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试
7.允许在一定气体环境下测试
8.提供石英透明窗口,可以测试光激发下电阻率